2024年量產!英特爾公布下一代堆疊式CF晶體管架構
近日在比利時安特衛普舉行的 ITF World 2023大會上，英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 介紹了幾個關鍵領域最新技術發展，其中就包括了英特爾將采用堆疊式 CFET 晶體管架構，這也是英特爾首次公開介紹新的晶體管設計，但并未提及具體的量產時間表。
在2021年創新技術大會上，英特爾公布了 Intel 20A 制程將采用基于 Gate All Around(GAA)技術 RibbonFET 晶體管架構，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 晶體管架構。
新技術提升晶體管開關速度，占用空間更少，可以達成與FinFET結構相同驅動電流水準。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 將在 2024 年量產。
英特爾還展示下一代 GAA 堆疊式 CFET 晶體管架構，將允許堆疊8個納米片，是 RibbonFET 的4個納米片的兩倍，將進一步提升晶體管密度。
CFET 電晶體將 n 和 p 兩種 MOS 元件堆疊在一起，以達成更高的密度。英特爾正在研究兩種 CFET晶體管，也就是單片式和順序式，但未確定最后采用哪種 CFET晶體管，或還有其他類設計出現。
英特爾表示，憑借CFET晶體管技術，2032年將有望進化到5埃米(0.5nm)，2036年將有望實現2埃米(0.2nm)，CFET晶體管架構類型還會發生變化，也是不可避免的。
不過，英特爾只是概述電晶體技術大概發展藍圖，并沒有分享太多細節，未來應該還會陸續公開更多信息公布。
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