三星宣布:12nm級工藝DDR5DRAM內存芯片開始量產
三星電子官方宣布,采用12nm級工藝的DDR5 DRAM內存芯片已經開始量產。
新內存單顆容量16Gb(2GB),最高速度7.2Gbps(等效頻率7200MHz),相當于每秒可處理兩部30GB的超高清電影。
對比上一代產品,12nm DDR5的功耗降低了多達23%,同時晶圓生產率提高了20%,特別有助于服務器和數據中心節能減排。
三星透露,12nm級工藝的開發基于一種新型高K材料,可提高電池電容,使數據信號出現明顯的電位差,從而更易于準確地區分。
同時,三星還在降低工作電壓、噪聲方面取得了新的成果。
值得一提的是,三星還在去年12月完成了16Gb DDR5 DRAM與AMD處理器平臺的兼容性評估。